先进半导体存储器 结构、设计与应用

1 (p0-1): 目录
1 (p0-2): 第1章 先进半导体存储器引论
1 (p0-3): 1.1 半导体存储器综述
5 (p0-4): 1.2 先进半导体存储器的发展
10 (p0-5): 1.3 将来存储器的发展方向
12 (p0-6): 参考文献
13 (p0-7): 第2章 静态随机存取存储器技术
13 (p0-8): 2.1 静态随机存取存储器的基本结构和单元结构
14 (p0-9): 2.1.1 SRAM的性能和时序
16 (p0-10): 2.1.2 SRAM的读写操作
18 (p0-11): 2.2 选择SRAM时的考虑因素
22 (p0-12): 2.3 高性能的SRAM
28 (p0-13): 2.3.1 直接模式的SRAM
29 (p0-14): 2.3.2 零总线转换SRAM
32 (p0-15): 2.3.3 四倍数据率（QDR）SRAM
34 (p0-16): 2.3.4 双数据率（DDR）SRAM
35 (p0-17): 2.3.5 无周转模式的RAM
39 (p0-18): 2.4 先进的SRAM结构
43 (p0-19): 2.5 低压SRAM
52 (p0-20): 2.6 BiCMOS工艺的SRAM
56 (p0-21): 2.7 SOI SRAM
63 (p0-22): 2.8 特种SRAM
63 (p0-23): 2.8.1 多端口型的RAM
70 (p0-24): 2.8.2 先进先出（FIFO）型存储器
76 (p0-25): 2.8.3 按内容编址存储器
83 (p0-26): 参考文献
88 (p0-27): 第3章 高性能的动态随机存取存储器
88 (p0-28): 3.1 动态随机存取存储器技术和发展趋势
90 (p0-29): 3.2 DRAM时序规范和操作
90 (p0-30): 3.2.1 总的时序规范
92 (p0-31): 3.2.2 存储器读操作
94 (p0-32): 3.2.3 存储器写操作
95 (p0-33): 3.2.4 读改写操作
96 (p0-34): 3.2.5 DRAM刷新操作
99 (p0-35): 3.3.1 EDO DRAM（例子）
99 (p0-36): 3.3 扩充数据输出动态随机存取存储器（EDO DRAM）
100 (p0-37): 3.4 增强式动态随机存取存储器（EDRAM）
103 (p0-38): 3.5 同步的动态随机存取存储器／图像随机存取存储器结构
103 (p0-39): 3.5 SDR SDRAM/SGRAM
103 (p0-40): 3.5.2 DDR SDRAM/SGRAM特点
105 (p0-41): 3.5.3 256 M位DRAM实例
112 (p0-42): 3.6 增强式同步动态随机存取存储器（ESDRAM）
115 (p0-43): 3.7 高速缓存动态随机存取存储器（CDRAM）
120 (p0-44): 3.8 虚拟通道存储动态随机存取存储器（VCM DRAM）
121 (p0-45): 3.9 先进的DRAM工艺技术展望
124 (p0-46): 3.9.1 存储器电容器单元的改进
131 (p0-47): 3.9.2 64 Mb DRAM
136 (p0-48): 3.9.3 256 Mb DRAM
140 (p0-49): 3.10 千兆位DRAM等比例缩小问题和结构
153 (p0-50): 3.11 多电平存储的动态随机存取存储器（MLDRAM）
156 (p0-51): 3.12 绝缘体基外延硅动态随机存取存储器（SOI DRAM）
163 (p0-52): 参考文献
167 (p0-53): 第4章 专用DRAM结构与设计
169 (p0-54): 4.1 视频RAM（VRAM）
172 (p0-55): 4.2 同步显存（SGRAM）
173 (p0-56): 4.2.1 64 M位的DDR SGRAM
178 (p0-57): 4.2.2 256兆位的DDR快速周期RAM（1FCRAM）
181 (p0-58): 4.3 Rambus技术概述
186 (p0-59): 4.3.1 直接RDRAM技术
193 (p0-60): 4.3.2 以直接Rambus存储系统为基础的设计
194 (p0-61): 4.4 同步链接DR.AM（SLDRAM）
195 (p0-62): 4.4.1 SLDRAM标准
200 (p0-63): 4.4.2 SLDRAM结构和功能总述
202 (p0-64): 4.4.3 SLDRAM（举例）
208 (p0-65): 4.5 3-D RAM
215 (p0-66): 4.5.1 像素ALU操作
219 (p0-67): 4.6…